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10us浪涌電流測(cè)試儀

參   考   價(jià): 198

訂  貨  量: ≥1 臺(tái)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)HUSTEC-IFSM-1200A

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地深圳市

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更新時(shí)間:2024-04-23 16:59:06瀏覽次數(shù):917次

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華科智源-10us浪涌電流測(cè)試儀,可測(cè)試二極管,MOS,IGBT,以及SIC器件浪涌電流能力,可輸出底寬10ms,8.3ms,1ms,10us等正弦半波或方波,浪涌電流根據(jù)具體需求可選擇800A,1200A,3000A以及定制8000A以上,電流可達(dá)50kA;

華科智源-二極管浪涌電流是指電源線接通瞬間或是在電路出現(xiàn)異常情況下產(chǎn)生的遠(yuǎn)大于穩(wěn)態(tài)電流的峰值電流或過(guò)載電流。

半導(dǎo)體器件在工作時(shí),有時(shí)要承受較大的沖擊電流,器件的用途不同,要求器件能承受浪涌電流的能力也不同,為了檢測(cè)器件承受浪涌電流的能力,可產(chǎn)生一個(gè)大的浪涌電流施加于被測(cè)器件上,從而檢測(cè)被測(cè)器件是否能承受大浪涌電流的沖擊。


華科智源浪涌電流試驗(yàn)儀的測(cè)試方法符合JB/T7626-2013中的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。浪涌電流試驗(yàn)臺(tái),是二極管等相關(guān)半導(dǎo)體器件測(cè)試的重要檢測(cè)設(shè)備,該設(shè)備具有如下特點(diǎn):

1、該試驗(yàn)臺(tái)是一套大電流、高電壓的測(cè)試設(shè)備,對(duì)設(shè)備的電氣性能要求高。

2、該試驗(yàn)臺(tái)的測(cè)試控制采用自動(dòng)控制,測(cè)試可按測(cè)試員設(shè)定的程序進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試。

3、該試驗(yàn)臺(tái)采用計(jì)算機(jī)記錄測(cè)試結(jié)果,并可將測(cè)試結(jié)果轉(zhuǎn)化為EXCEL文件進(jìn)行處理。

4、該套測(cè)試設(shè)備主要由以下幾個(gè)單元組成:

  a、浪涌測(cè)試單元

  b、阻斷參數(shù)測(cè)試單元

  c、計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)

二、技術(shù)條件

2.1 環(huán)境要求:

1、環(huán)境溫度:1540

2相對(duì)濕度:存放濕度不大于80%

3、大氣壓力:86Kpa—106Kpa

4、海拔高度:1000米以下

5、電網(wǎng)電壓:AC220V±10%無(wú)嚴(yán)重諧波

6、電網(wǎng)頻率:50Hz±1Hz

7電源功率:小于1.5KW

8、供電電網(wǎng)功率因數(shù):>0.9

2.2主要技術(shù)指標(biāo):

1、浪涌電流(ITSM/IFSM)測(cè)試范圍:301200A;選配3000A,8000A,20kA,50kA等

2、浪涌電流(ITSM/IFSM)精度要求:顯示分辨率1A精度±3%

 浪涌電流(ITSM/IFSM)波形:近似正弦半波;

3、浪涌電流底寬:8.310ms;選配1ms,10us等

4、測(cè)試頻率:?jiǎn)未?;重?fù)

5、反向電壓(VRRM)測(cè)試范圍:2002000V;

6、反向電壓(VRRM)顯示分辨率10V,精度±3%

7、反向電壓頻率:DC直流

8、各種模塊均手動(dòng)連接,并以單管形式測(cè)試。

9、采用計(jì)算機(jī)控制、采樣及顯示;



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