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技術(shù)文章

從脈沖群抗擾度試驗(yàn)的標(biāo)準(zhǔn)草案看試驗(yàn)演變情況

閱讀:1085          發(fā)布時(shí)間:2010-6-25

從脈沖群抗擾度試驗(yàn)的標(biāo)準(zhǔn)草案看試驗(yàn)演變情況

企業(yè)名稱
蘇州泰思特電子科技有限公司
聯(lián) 系 人
婁軍
企業(yè)類型
生產(chǎn)型企業(yè)
電子
@
傳真
企業(yè)地址
蘇州高新區(qū)金山路198號
在線
所屬地區(qū)
江蘇
郵政編碼
215000

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電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)的標(biāo)準(zhǔn)是IEC61000-4-4:1995,對應(yīng)的國家標(biāo)準(zhǔn)為GB/T17626.4-1998。后者是我們國家現(xiàn)行的電子產(chǎn)品抗擾度試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)中的一個(gè)。

電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)是電氣和電子設(shè)備眾多抗擾度試驗(yàn)中使用次數(shù)zui多,同時(shí)也是比較難于通過的一個(gè)試驗(yàn),所以這項(xiàng)試驗(yàn)也是試驗(yàn)人員、產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員議論zui多的一項(xiàng)試驗(yàn)。議論的議題之一是試驗(yàn)的重復(fù)性和可比性較差,往往是企業(yè)自己做的試驗(yàn)結(jié)果與試驗(yàn)站相距甚遠(yuǎn),對此作者曾專門著文討論這個(gè)問題,企業(yè)試驗(yàn)人員對此反映較好,認(rèn)為對提高試驗(yàn)的準(zhǔn)確性起到了積極作用。
作者近日通過對IEC61000-4-4標(biāo)準(zhǔn)草案(FDIS文件)的閱讀,對電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)有了更新的認(rèn)識,覺得標(biāo)準(zhǔn)草案對脈沖群波形的要求、對校驗(yàn)信號發(fā)生器的方法、對試驗(yàn)方法的細(xì)節(jié)都有了新的規(guī)定,作者認(rèn)為標(biāo)準(zhǔn)草案的這些規(guī)定對規(guī)范試驗(yàn),提高試驗(yàn)的可比性和重復(fù)性很有好處。今將標(biāo)準(zhǔn)草案閱讀中發(fā)現(xiàn)的不同部分整理出來,并加上作者對它的一些評述,希望對企業(yè)人員理解標(biāo)準(zhǔn)和正確掌握試驗(yàn)方法能有所幫助。
1- 試驗(yàn)等級
打開IEC61000-4-4的1995年版標(biāo)準(zhǔn),從及新的標(biāo)準(zhǔn)草案,首先看到的一個(gè)不同點(diǎn)便是試驗(yàn)等級,詳見本文表1和表2所示:
表1. 1995年版標(biāo)準(zhǔn)的試驗(yàn)等級

開路輸出試驗(yàn)電壓(±10%),脈沖重復(fù)率(±20%
等級
在電源端口和PE
I/O(輸入/輸出)、信號、數(shù)據(jù)和控制端口上
電壓峰值(kV
重復(fù)率(kHz
電壓峰值(kV
重復(fù)率(kHz
1
0.5
5
0.25
5
2
1
5
0.5
5
3
2
5
1
5
4
4
2.5
2
5
X,注1
特定
特定
特定
特定
1X是一個(gè)開放等級,對特定設(shè)備有特殊規(guī)定。

 
表2. 新標(biāo)準(zhǔn)草案的試驗(yàn)等級

開路輸出試驗(yàn)電壓和脈沖重復(fù)率
等級
在電源端口和PE
I/O(輸入/輸出)信號,數(shù)據(jù)和控制端口
電壓峰值(kV
重復(fù)率(kHz
電壓峰值(kV
重復(fù)率(kHz
1
0.5
5100,注2
0.25
5100,注2
2
1
5100,注2
0.
5100,注2
3
2
5100,注2
1
5100,注2
4
4
5100,注2
2
5100,注2
X ,注1
特定
特定
特定
特定
1X是一個(gè)開放等級,對特定設(shè)備有特殊規(guī)定。
2:習(xí)慣上是使用5kHz,然而100kHz更接近于實(shí)際。產(chǎn)品技術(shù)委員會(huì)可針對特殊產(chǎn)品或產(chǎn)品類型來確定其頻率。

 
從這兩張表格的對比可以看出,新標(biāo)準(zhǔn)草案的嚴(yán)酷度要高于原先的標(biāo)準(zhǔn),主要是試驗(yàn)頻率有了變化,將原先的2.5kHz取消了,一律取5kHz100kHz兩種。因此,標(biāo)準(zhǔn)草案所規(guī)定的單位時(shí)間內(nèi)的脈沖密集程度有了增加,這對設(shè)備試驗(yàn)的嚴(yán)酷程度是一種增加。
2- 試驗(yàn)設(shè)備
2.1 脈沖群發(fā)生器
在脈沖群發(fā)生器中,原標(biāo)準(zhǔn)與新的標(biāo)準(zhǔn)草案在發(fā)生器組成的主要元件上有一個(gè)明顯區(qū)別:原標(biāo)準(zhǔn)講的是火花氣隙(spark gap);新的標(biāo)準(zhǔn)草案講的是高電壓開關(guān)(high voltage switch)。事實(shí)上,當(dāng)代的脈沖群發(fā)生器里的脈沖形成器件,無一例外,都是采用高壓電子開關(guān)。這一改變,對提高脈沖群發(fā)生器工作的穩(wěn)定性,從及提高試驗(yàn)脈沖的頻率起到了關(guān)鍵的作用。
在IEC61000-4-4:1995標(biāo)準(zhǔn)的附錄A中,曾經(jīng)有一段文字提到了采用火花氣隙充當(dāng)脈沖形成器件的弊?。?/div>
“由于火花氣隙在低于1kV時(shí)的機(jī)械和電氣上的不穩(wěn)定,所以對低于2kV的試驗(yàn)電壓要通過分壓器來得到”。
脈沖群沖單個(gè)脈沖的重復(fù)頻率的實(shí)際值為10kHz1MHz,然而廣泛調(diào)查的結(jié)果表明,采用固定調(diào)節(jié)火花氣隙的發(fā)生器難以再現(xiàn)這種相對較高的重復(fù)頻率,因此標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了頻率較低的、有代表性的脈沖”。
所以在脈沖群試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)制定過程中,把脈沖頻率定為2.5kHz和5kHz實(shí)在是有一點(diǎn)不得以而為之的味道。隨著脈沖形成器件的更新,特別是高速高壓電子開關(guān)的選用,把脈沖頻率提高到5kHz和100kHz是理所當(dāng)然的事情,使得脈沖群抗擾度試驗(yàn)更加切合實(shí)際的干擾情況。
2.2 脈沖群發(fā)生器的特性參數(shù)
與原標(biāo)準(zhǔn)相比,在標(biāo)準(zhǔn)草案中對發(fā)生器特性參數(shù)規(guī)定的zui大不同表現(xiàn)為兩點(diǎn):其一,標(biāo)準(zhǔn)草案給出了兩種不同負(fù)載條件下的輸出電壓范圍,1000Ω負(fù)載的輸出電壓為0.24kV~3.8kV;50Ω負(fù)載的輸出電壓為0.125V~2kV。其二,標(biāo)準(zhǔn)草案將在50Ω負(fù)載上的每個(gè)2kV脈沖提供的能量為4mJ取消了,代之以脈沖發(fā)生器性能的可比性由下列要求(見本文表3)來加以保證:
表3. 新標(biāo)準(zhǔn)草案對脈沖群發(fā)生器特性參數(shù)的要求

極性
/負(fù)
輸出形式
同軸,50Ω
直流隔直電容
10nF±20 %
重復(fù)頻率
見表2,在所選的試驗(yàn)等級上±20%
與電源關(guān)系
異步
脈沖群持續(xù)時(shí)間
5kHz時(shí)為15ms±20%;在100kHz時(shí)為0.75ms±20%
脈沖群周期
300ms±20%
脈沖群的波形
 
50Ω負(fù)載上
上升時(shí)間tr5ns±30%,持續(xù)時(shí)間td50%50%處)=50ns±30%,
Vp見表4所示,±10%
1kΩ負(fù)載上
上升時(shí)間tr5ns±30%,持續(xù)時(shí)間td50%50%處)=35150ns,
Vp見表4所示,±20%
試驗(yàn)負(fù)載阻抗
50Ω±2%;
1kΩ±2%,并聯(lián)電容≤6pF
電阻是在直流狀態(tài)下測試的;電容是普通電容測試儀在低頻狀態(tài)下測試的。

 
在表3中還可以看到一點(diǎn):脈沖的重復(fù)頻率提高并不會(huì)造成對受試設(shè)備注入能量的增加,這是因?yàn)橹貜?fù)頻率自5kHz提高到100kHz(頻率提高了20倍),但脈沖群的持續(xù)時(shí)間卻從15ms縮減到0.75ms(持續(xù)時(shí)間縮減到原來的二十分之一),因此注入受試設(shè)備的脈沖總量沒變(仍為75個(gè)),注入受試設(shè)備的*量也就沒變,只是單位時(shí)間內(nèi)的脈沖密集程度有了增加。考慮到國外專家對脈沖群試驗(yàn)的故障機(jī)理解釋為是干擾脈沖對線路結(jié)電容的充電,脈沖頻率越高,單位時(shí)間內(nèi)的脈沖個(gè)數(shù)越多,對結(jié)電容的電荷積累也越快,越容易達(dá)到線路出錯(cuò)的閾限。因此,新的標(biāo)準(zhǔn)草案把測試頻率提高,其本質(zhì)上也是將試驗(yàn)的嚴(yán)酷程度有所提高。
2.3 發(fā)生器性能校驗(yàn)
對發(fā)生器的性能必須進(jìn)行校驗(yàn),以便對所有參與做試驗(yàn)的試驗(yàn)發(fā)生器的性能建立一個(gè)共同依據(jù)。校驗(yàn)可采用下列步驟:
在試驗(yàn)發(fā)生器的輸出端依次分別接入50Ω和1kΩ的同軸衰減器,并用示波器加以監(jiān)測。監(jiān)測用示波器的-3dB帶寬,以及體現(xiàn)試驗(yàn)發(fā)生器負(fù)載的50Ω和1kΩ的同軸衰減器的頻率響應(yīng)要求達(dá)到400MHz以上。其中50Ω是試驗(yàn)發(fā)生器的匹配負(fù)載;1kΩ試驗(yàn)負(fù)載則體現(xiàn)了發(fā)生器的一個(gè)復(fù)合負(fù)載。不同的試驗(yàn)發(fā)生器只有在兩種的負(fù)載條件下?lián)碛邢嗤匦裕拍鼙WC在實(shí)際的抗擾度試驗(yàn)中有相互可比的試驗(yàn)結(jié)果。
校驗(yàn)中要測量單個(gè)脈沖的上升時(shí)間、持續(xù)時(shí)間和重復(fù)頻率;以及脈沖群的持續(xù)時(shí)間和重復(fù)周期,詳細(xì)記錄在案。
在本文的表4中,對每一個(gè)設(shè)定電壓分別給出了在50Ω負(fù)載上測得的輸出電壓Vp50Ω)以及1kΩ負(fù)載上測得的輸出電壓Vp1kΩ)。其中Vp50Ω)的幅值容差為0.5Vp(開路輸出電壓)±10%;Vp1kΩ)的幅值容差為Vp1kΩ)±20%。測量中要保證分布電容為zui小。
表4. 發(fā)生器輸出電壓的峰值和重復(fù)率

設(shè)定電壓(kV
Vp(開路輸出電壓)kV
Vp1kΩ)kV
Vp50Ω)kV
重復(fù)頻率(kHz
0.25
0.25
0.24
0.125
5100kHz
0.5
0.5
0.48
0.25
5100kHz
1
1
0.95
0.5
5100kHz
2
2
1.9
1
5100kHz
4
4
3.8
2
5100kHz

校驗(yàn)中,當(dāng)采用1kΩ的負(fù)載電阻時(shí),示波器自動(dòng)讀出的電壓應(yīng)當(dāng)比Vp(開路輸出電壓)低5%,這是因?yàn)樵?kΩ上的Vp1kΩ)Vp(開路輸出電壓)×1000/(1000+50)=0.95 Vp(開路輸出電壓)??紤]Vp1kΩ)容差為±20%,Vp1kΩ)的下限為0.8×0.95 Vp(開路輸出電壓)=0.76 Vp(開路輸出電壓)
Vp1kΩ)的上限為1.2×0.95Vp(開路輸出電壓)=1.14 Vp(開路輸出電壓)。即(0.76~1.14)Vp(開路輸出電壓)
類似的計(jì)算分析,對于50Ω負(fù)載的測試電壓,因其幅值容差為±10%,故Vp50Ω)應(yīng)當(dāng)?shù)扔冢?.45~0.55)Vp(開路輸出電壓)。
2.4 耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)
 

 

 
 
 
 
 
 
 
 


 

a) 原標(biāo)準(zhǔn)的耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)

 

 
 
 
 
 
 
 
 
 


 

b) 新標(biāo)準(zhǔn)草案的耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)
圖1 電源線耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)
用于電源線抗擾度試驗(yàn)的耦合/去耦網(wǎng)絡(luò),在原標(biāo)準(zhǔn)與新的標(biāo)準(zhǔn)草案中有一個(gè)zui大的不同點(diǎn),前者是對逐根電源線做共??垢蓴_試驗(yàn);后者是對所有電源線路同時(shí)做共??垢蓴_試驗(yàn)。分別見本文的圖1a和圖1b所示。
對于耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的性能,新標(biāo)準(zhǔn)草案只從試驗(yàn)的角度,提出了對特性參數(shù)的要求:
 

耦合電容:
33nF
耦合方式:
共模

 
為了保證在交流/直流電源端口試驗(yàn)中使用的耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)性能合格,光有上述基本要求是不夠的,還必須對耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的共模輸出波形進(jìn)行校驗(yàn)。校驗(yàn)時(shí)發(fā)生器的輸出電壓設(shè)置為4kV。發(fā)生器的輸出接耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的輸入,耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的輸生接50Ω負(fù)載,記錄峰值電壓和波形。校驗(yàn)要在每一條耦合/去耦通路上進(jìn)行。測量結(jié)果應(yīng)該是:脈沖的上升時(shí)間為5ns±30%;脈沖持續(xù)時(shí)間對50Ω為50ns±30%,峰值電壓在表4要求上±10 %。
此外,當(dāng)被試設(shè)備以及電源與網(wǎng)絡(luò)脫開時(shí),在耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)輸入端的殘余試驗(yàn)脈沖不超過所施試驗(yàn)電壓的10 %。
標(biāo)準(zhǔn)草案對波形校驗(yàn)結(jié)果一致性的規(guī)定是有重要意義的:實(shí)質(zhì)上,只有大體一致的試驗(yàn)波形才代表試驗(yàn)波形中的諧波成分及其含量的一致性,只有這樣,才能保證采用不同試驗(yàn)發(fā)生器時(shí)的試驗(yàn)結(jié)果大體一致。
2.5 電容耦合夾
脈沖群對于I/O線、信號線、數(shù)據(jù)線和控制線抗擾度試驗(yàn)是通過電容耦合夾進(jìn)行的(如果前述耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)不適合使用在ac/dc電源端口時(shí),也可采用電容耦合夾的耦合方式來對ac/dc電源端口進(jìn)行試驗(yàn))。耦合夾的耦合電容取決于電纜的直徑、材料及電纜的屏蔽情況。
耦合電容典型值為100pF~1000pF(原標(biāo)準(zhǔn)寫50pF~200pF)。
3- 試驗(yàn)配置
3.1 實(shí)驗(yàn)室型式試驗(yàn)的配置
關(guān)于實(shí)驗(yàn)式型式試驗(yàn)的配置,在原標(biāo)準(zhǔn)與新的標(biāo)準(zhǔn)草案里有兩張非常相似的圖(分別見本文的圖2a和圖2b)。但當(dāng)你在仔細(xì)觀察這兩張圖時(shí),還是能發(fā)現(xiàn)這兩張圖的差別,zui大的不同出現(xiàn)在這兩張圖的左側(cè),關(guān)于臺式設(shè)備的試驗(yàn)配置。
按照新標(biāo)準(zhǔn)草案的配置,無論是地面安裝設(shè)備、臺式設(shè)備、以及其他結(jié)構(gòu)形式的設(shè)備,都將放置在一塊參考接地板的上方。被試設(shè)備與參考接地板之間用0.1m±0.01m厚的絕緣支撐物隔開。新標(biāo)準(zhǔn)草案規(guī)定,凡是安裝在天花板上或是墻壁上的設(shè)備都按臺式設(shè)備來做試驗(yàn)。新標(biāo)準(zhǔn)草案還規(guī)定,試驗(yàn)發(fā)生器和耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)也直接放在參考接地板上,并與參考接地板保持低阻抗連接。
新標(biāo)準(zhǔn)草案的這些變化顯得尤其重要:首先將試驗(yàn)發(fā)生器和耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)直接放置在參考接地板上,并且和參考接地板相連,是因?yàn)槊}沖群試驗(yàn)對被試線路進(jìn)行共模試驗(yàn),是將干擾加在被試線路與大地之間的試驗(yàn),而試驗(yàn)中的參考接地板就代表了大地。所以將試驗(yàn)發(fā)
生器和耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)放在參考接地板上是由試驗(yàn)的性質(zhì)決定的,為了不使脈沖群干擾產(chǎn)生過多衰減,試驗(yàn)發(fā)生器、耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)與參考接地板的連接應(yīng)當(dāng)是低阻抗的。
新標(biāo)準(zhǔn)草案指出與被試設(shè)備連接的所有電纜要放在離地高度為0.1m的絕緣支架上。明確這一點(diǎn)也很重要,因?yàn)楸辉囋O(shè)備的連接電纜與參考接地板之間構(gòu)成了一個(gè)分布電容,不一樣的離地高度,構(gòu)成的分布電容也是不同的。不同的分布電容,對脈沖群高頻諧波從連接電纜上的逸出情況也將是不一樣的,會(huì)直接影響試驗(yàn)結(jié)果。
新標(biāo)準(zhǔn)草案對臺式設(shè)備試驗(yàn)配置方式的改變,則對臺式設(shè)備的試驗(yàn)嚴(yán)酷度以及試驗(yàn)結(jié)果的一致性有了極大提高。按照原標(biāo)準(zhǔn)的試驗(yàn)配置,臺式設(shè)備放在木頭桌子上,試驗(yàn)發(fā)生器放在參考接地板上(試驗(yàn)發(fā)生器的接地端子以低阻抗與參考接地板連接),迭加了干擾電壓的電源線則從地面處再伸展到臺式設(shè)備的電源輸入端。因此電源線的實(shí)際離地高度要在80cm以上,使得電源線相對參考平面的阻抗不能固定(不同的擺放位置有不同的阻抗),而且電源線過大的高頻阻抗(相對于電源線離開參考地平面為10cm的布局來說),使得電源線上的脈沖群干擾的高頻成分大量逸出,導(dǎo)致實(shí)際進(jìn)入被試設(shè)備的干擾變?nèi)?。因此利用原?biāo)準(zhǔn)和新標(biāo)準(zhǔn)草案提供的試驗(yàn)配置對同一臺設(shè)備做試驗(yàn)時(shí),可以得出截然不同的結(jié)果。
 

電容耦合夾
參考接地板
脈沖群
發(fā)生器
B
絕緣支座
按制造商的規(guī)范接地,長度在試驗(yàn)計(jì)劃中規(guī)定
非金屬
桌子
群脈沖
發(fā)生器
交流
電源
交流
電源
 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 


 

耦合/去耦
網(wǎng)絡(luò)(A
一一

參考接地板
 

 


 

l =耦合夾與EUT之間的距離,不應(yīng)大于1m;A=電源線耦合的位置;(B=信號線耦合的位置
a) 原標(biāo)準(zhǔn)用于實(shí)驗(yàn)室型式試驗(yàn)的一般試驗(yàn)配置

交流
電源
交流
電源
電容耦合夾
 

 
 
 
 
 
 
 


 

脈沖群
發(fā)生器

絕緣
支撐
按制造商的規(guī)范接地,長度在試驗(yàn)計(jì)劃中規(guī)定
 
與參考接地
板接在一起
耦合/
去耦
網(wǎng)絡(luò)
(A)
絕緣
支撐
參考
接地
脈沖群
發(fā)生器
(B)
接地
電纜
參考摟地板
l =耦合夾與EUT之間的距離,應(yīng)該是0.5m±0.05m; 
A=電源線耦合的位置;
B=信號線耦合的位置
 
 

 
 
 
 
 
 
 
 


 

b) 新標(biāo)準(zhǔn)草案用于實(shí)驗(yàn)室型式試驗(yàn)的一般試驗(yàn)配置
 
圖2 實(shí)驗(yàn)室型式試驗(yàn)的配置
 
此外,新標(biāo)準(zhǔn)草案特別指出,在耦合裝置與被試設(shè)備之間的電源線和信號線的長度為0.5m±0.05m,而不是原標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的≤1m。很顯然,后者的長度不明確,從01m都屬適合范圍,但是不同的線長,脈沖群高頻諧波的逸出情況是不同的,被試設(shè)備受到的干擾實(shí)際上是在線上的傳導(dǎo)干擾和逸出到空間的輻射干擾的綜合結(jié)果。不同的線長,被試設(shè)備受到的傳導(dǎo)干擾和輻射干擾的比例是不同的,沒法保證試驗(yàn)結(jié)果的可比性。因此,明確被試線路的長度,對試驗(yàn)結(jié)果的可比性、一致性特別重要。本文圖3是試驗(yàn)電壓直接耦合到交流/直流電源端口的試驗(yàn)配置例。
 

絕緣支座      按制造廠的規(guī)定接地        參考接地板
長度在試驗(yàn)計(jì)劃中規(guī)定
 
 
耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)
濾波
/直流電源
電源
PE=保護(hù)接地;N=中線;L1,L2L3=相線
直流接線端子按同樣方法處理
 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 


 

圖3 試驗(yàn)電壓直接耦合到交流/直流電源端口的試驗(yàn)配置例
 
新標(biāo)準(zhǔn)草案還規(guī)定,如果制造商提供的不可拆卸的電源電纜的長度超過0.5m±0.05m,超長的電纜應(yīng)折疊起來,避免成為一個(gè)扁平線圈,同時(shí)擺放在離參考接地板0.1m高的地方。而不是原標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的電源電纜超過1m時(shí),超長部分挽成一個(gè)直徑為0.4m的扁平線圈,平放在離參考接地板0.1m高的地方。顯然新標(biāo)準(zhǔn)草案的提法比較合理,對超長線的處理也比較容易。
在新標(biāo)準(zhǔn)草案中提出了機(jī)架安裝設(shè)備的試驗(yàn)配置(見本文圖4),這在原標(biāo)準(zhǔn)中是沒有過的。新試驗(yàn)配置方案的提出,避免了由于試驗(yàn)人員對標(biāo)準(zhǔn)的理解不一所導(dǎo)致的試驗(yàn)結(jié)果不一。

電容耦合夾
脈沖群發(fā)生器
電纜
位于參考接地板之
間的安全連接線
經(jīng)升高的參考接地板
 

 
 
 
 
 
 
 
 


 

參考接地板

 

由制造商推薦的
被試設(shè)備接地
注意:耦合夾可以安裝在屏蔽室的墻上,或任何接地的表面上。耦合夾同時(shí)還要與被試設(shè)備連在一起。對于電纜在其頂部進(jìn)出的大型地面安裝設(shè)備,耦合夾應(yīng)該放在高出被試設(shè)備10cm處,讓電纜經(jīng)過參考接地板中心后再下降。
 

 
 
 
 
 


 

圖4 機(jī)架安裝設(shè)備的試驗(yàn)配置例
 
zui后,新標(biāo)準(zhǔn)草案還要求不需經(jīng)受快速瞬變脈沖試驗(yàn)的線路要圈起來,并盡可能地遠(yuǎn)離受試線路,以盡量減少線路之間的耦合。
關(guān)于在I/O和通信端口上的試驗(yàn)配置,原標(biāo)準(zhǔn)與新標(biāo)準(zhǔn)草案都采用電容耦合夾耒做試驗(yàn)。但是原標(biāo)準(zhǔn)中(見原標(biāo)準(zhǔn)的圖9),當(dāng)兩臺設(shè)備同時(shí)進(jìn)行試驗(yàn)時(shí),受試設(shè)備與耦合夾的距離l1=l2≤1m;當(dāng)只對一臺設(shè)備進(jìn)行試驗(yàn)時(shí),為了去耦,l2至少要≥5m,或l2>5l1。在新標(biāo)準(zhǔn)草案中(見新標(biāo)準(zhǔn)草案的圖10),兩臺設(shè)備同時(shí)試驗(yàn)時(shí),受試設(shè)備與耦合夾的距離l1=l2=0.5m±0.05m;當(dāng)僅對一臺設(shè)備進(jìn)行試驗(yàn)時(shí),在不需要進(jìn)行試驗(yàn)的這一臺設(shè)備與耦合夾之間必須插入一個(gè)去耦網(wǎng)絡(luò)。
3.2 設(shè)備安裝后的現(xiàn)場試驗(yàn)配置
設(shè)備在安裝現(xiàn)場的試驗(yàn)配置,包括電源端子和I/O以及通信端口上的試驗(yàn),在新標(biāo)準(zhǔn)草案與原標(biāo)準(zhǔn)中都保持基本不變。只是經(jīng)軟線和插頭連接到電源的非固定被試設(shè)備在脈沖注入的方法及耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)與被試設(shè)備的距離作了與在實(shí)驗(yàn)室配置相類似變更,見本文圖5。

EUT接到電源的普通插頭   EFT/B試驗(yàn)發(fā)生器        接至交流電源
接外部設(shè)備
濾波
 

 
 


 

交流電源互連線
 

按系統(tǒng)要求安裝的保護(hù)地 耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)
絕緣支座
耦合電容CC33nF
去耦電感Z1100μH
接地板
保護(hù)接地
木頭桌子
 

 
 
 
 
 


 

圖5非固定式被試設(shè)備交流電源端口和保護(hù)接地端子的現(xiàn)場試驗(yàn)
 
4- 試驗(yàn)方法
關(guān)于試驗(yàn)計(jì)劃中的試驗(yàn)時(shí)間,在原標(biāo)準(zhǔn)中只寫到不低于1分鐘。而在新標(biāo)準(zhǔn)草案寫道,
為了加速試驗(yàn),選擇試驗(yàn)時(shí)間為1分鐘。試驗(yàn)時(shí)間可以分割成6個(gè)10秒的脈沖群,每次間隔暫停10秒鐘。在實(shí)際的環(huán)境中,脈沖群是隨機(jī)發(fā)生的獨(dú)立事件,故不傾向于將脈沖群與被試設(shè)備的信號同步。產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)的制定委員會(huì)可以選擇其他的試驗(yàn)持續(xù)時(shí)間。
 

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