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詳細(xì)介紹
實(shí)現(xiàn)不使用化學(xué)制劑應(yīng)力釋放的Φ300 mm干式拋光機(jī)
- Φ300 mm
- 1 axis, 1 chuck table
- Wafer Thinning
- Stress Releaf
提高薄型晶圓的良品率
DFP8160是*不使用研磨液(Slurry)就可以去除晶圓背面損傷層（應(yīng)力釋放， Stress Relief ） ，可對(duì)應(yīng)Φ300 mm晶圓的干式拋光的設(shè)備。即能夠防止圓晶碎裂及翹曲，增加芯片的抗彎強(qiáng)度，提高良品率，又能夠減少環(huán)境負(fù)荷。
可與現(xiàn)有的研削機(jī)聯(lián)機(jī)(In-Line)運(yùn)行
DFP8160可與現(xiàn)有的研削機(jī)整合聯(lián)機(jī)（可現(xiàn)場改裝）， 利用與DFG8560的聯(lián)機(jī)功能（特殊選配），可以安全地進(jìn)行設(shè)備之間的晶圓搬送。
降低環(huán)境負(fù)荷
因?yàn)槭歉墒綊伖饧庸?，所以沒有處理濕式蝕刻或CMP加工時(shí)所需的化學(xué)藥品的程序。因此既降低了環(huán)境負(fù)荷，又有助于減少用戶的運(yùn)行成本。
操作簡便
配置了觸摸式液晶顯示器及GUI （Graphical User Interface），提高了操作便利性?？刂飘嬅婵赏斤@示加工狀況和設(shè)備狀態(tài)，操作人員只要觸摸控制畫面上的按鈕，就可以簡單地完成操作。更便利于日常設(shè)備操作和維修保養(yǎng)時(shí)的操作。
Specifications
| Specification | Unit | DFP8160 | |
|---|---|---|---|
| Wafer Diameter | - | Φ200, 300 mm (Select one size) | |
| Polishing Method | - | Anomalous In-feed grinding with wafer rotation | |
| Wheel | - | Φ450 mm Dry Polishing Wheel | |
| Chuck table type | - | Porous chuck table | |
| Chuck-method | - | Vacuum | |
| Number of revolutions | min‐1 | 0 ～ 300 | |
| Chuck table cleaning | - | Water & air thrust up, Leveling stone and brush cleaning | |
| Spindle | Output | kW | 7.5 | Revolution speed range | min‐1 | 1,000 ～ 3,000 |
| Internal load sensor | - | Thin force sensor | |
| Spinner unit | - | Wafer washing and drying by atomizing nozzle | |
| Machine dimensions (W×D×H) | mm | 1,400 × 3,322 × 1,800 | |
| Machine weight | kg | Approx.2,400 | |
※為了改善，機(jī)器的外觀，特征，規(guī)格等本公司可能在未預(yù)先通知用戶的情況下實(shí)施變更。
※使用時(shí)，請(qǐng)先確認(rèn)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格書。
Product Lineup
| Machine type |
| Spindle |
| C/T |
| Machine dimentions（W × D × H） |
| Machine weight（kg） |
| DFP8140 | DFP8141 | DGP8761 |
| 全自動(dòng) | 全自動(dòng) | 全自動(dòng) |
| 1 | 1 | 3 |
| 1 | 2 | 4 |
| 1,200 × 2,670 × 1,800 | 900 × 2,584 × 2,000 | 1,690 × 3,315 × 1,800 |
| 1,900 | 3,100 | 6,700 |
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