MIW5132攝像頭燈防爆燈(1)芯片選擇必須首先使用高流明的、低功耗大功率芯片。目前，成熟的IW、 3W芯片;其次，采用共品工藝可以很好地完成導(dǎo)熱。
(2)熱傳導(dǎo)的設(shè)計(jì)至關(guān)重要。 LED芯崩品度的要求是：85°C以下為正常狀態(tài)，可以保證5萬(wàn)小時(shí)以上壽命, 85°C—120°C為異常狀態(tài)，會(huì)影響壽命，120°C以上為危險(xiǎn)狀態(tài),會(huì)嚴(yán)損壞LEDO所以必須對(duì)LED燈具進(jìn)行整體專(zhuān)業(yè)導(dǎo)熱設(shè)計(jì),以滿(mǎn)足LED芯片工作溫度要求。 
( 3 )配光設(shè)計(jì)對(duì)照明性能影響巨大LED是一種指向性較強(qiáng)光源，必須進(jìn)行專(zhuān)業(yè)光學(xué)配光設(shè)計(jì),才可以達(dá)到工亞現(xiàn)場(chǎng)照明標(biāo)準(zhǔn)及要求。 

MIW5132攝像頭燈防爆燈如果芯片直接與空氣接觸，芯片發(fā)出的光大部分被反射回芯片，由于芯片材料與空氣之間的光折射率差異很大，不能逃逸到空氣中。以GaAs材料和空氣為例，在界面處，芯片全反射的臨界角c約為14，如果環(huán)氧樹(shù)脂和芯片，只有4-12%的光子可以逃逸到空氣中使用折射率為1.5。對(duì)于橫截面，c約為22.6，這增加了光逃逸率。當(dāng)球形環(huán)氧樹(shù)脂和空氣用作界面時(shí)，幾乎所有內(nèi)部的光子都可以逃逸到空氣中，并且反射的光子少于4%，因此通過(guò)選擇封裝材料的折射率和芯片的界面進(jìn)行封裝，可以提高LED的發(fā)光效率。